技術(shù)編號:8391131
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隙約為1.4eV,可以用來制備量子器件,其能夠通過量子尺寸效應(yīng),改變器件的發(fā)光頻率和性能,因此已經(jīng)被廣泛地用來作為光催化、半導(dǎo)體器件、發(fā)光器件、激光或紅外探測器和光敏傳感器的材料。另外它還是一種優(yōu)良的紅外窗口和非線性光學(xué)材料?,F(xiàn)在Cu3BiS3已經(jīng)被用來制作多種光電子器件,如激光器、光電探測器、光存儲器件、量子點(diǎn)等;Cu3BiS^可以用來做光伏器件,例如太陽能電池等。目前國內(nèi)外對于Cu3BiS3m米結(jié)構(gòu)材料的研宄還比較少,而三元硫化物納米結(jié)構(gòu)材料,由于其結(jié)...
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