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納米pss結(jié)構(gòu)制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8380018

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圖形化襯底(PSS)已成為LED芯片提升光效的基本途徑之一,目前主流PSS襯底的圖形寬度為2微米,間隔I微米,刻蝕深度1.5-1.8微米。圖形化襯底基本制備工序?yàn)榛秸葯z測(cè)、清洗基片、涂膠、掩模紫外步進(jìn)曝光、ICP (Inductively Coupled Plasma)刻蝕、微圖形結(jié)構(gòu)一致性光學(xué)檢測(cè)等。其中,紫外步進(jìn)曝光采用2um厚膠光刻工藝,形成21的蜂窩圖形,其對(duì)光刻膠厚度、步進(jìn)曝光機(jī)的光刻分辨率、調(diào)焦、曝光穩(wěn)定性和圖形拼接有著極其嚴(yán)格的要求。國...
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