技術(shù)編號(hào):8363310
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相變存儲(chǔ)器(Phase-ChangeRandom Access Memory,簡(jiǎn)稱(chēng)PCRAM)的存儲(chǔ)介質(zhì)是以硫系化合物為基礎(chǔ)的相變材料,其原理是利用電脈沖熱量使存儲(chǔ)介質(zhì)材料在晶態(tài)(低電阻)與非晶態(tài)(高電阻)之間相互轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)信息的寫(xiě)入和擦除,信息的讀出依靠測(cè)量電阻的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于相變存儲(chǔ)器具有讀取速度快、穩(wěn)定性強(qiáng)、功耗低、存儲(chǔ)密度高、與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),從而使信息功能材料成為研究熱點(diǎn)。目前研究和使用較多的相變材料是Ge-Sb-Te三元合金,特別...
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