技術(shù)編號：8363194
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在半導(dǎo)體器件中，比如半導(dǎo)體二極管和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated GateBipolar Translator, IGBT),移動的電荷載流子涌入被正向偏壓的pn結(jié)兩側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)中，并且可形成電荷載流子等離子體，該電荷載流子等離子體提供了半導(dǎo)體器件的低正向電阻或者導(dǎo)通狀態(tài)電阻，但當pn結(jié)從正向偏置變?yōu)榉聪蚱脮r，其必須在反向恢復(fù)期內(nèi)被移除。反向恢復(fù)過程有助于半導(dǎo)體器件的動態(tài)開關(guān)損耗。去飽和周期(desaturat1ncycle)在將pn結(jié)從正向偏置...
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