技術(shù)編號(hào):8341306
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)由于具有耐高壓、大電流驅(qū)動(dòng)能力、極低功耗以及可與CMOS集成等優(yōu)點(diǎn),目前在電源管理電路中被廣泛采用?,F(xiàn)有一種40V隔離型NLDMOS(N型橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件,如圖1所示,在P型硅襯底101上形成有N型深阱102,N型深阱102左部形成有P阱105,右部形成有N阱104 ;P阱105同N阱104之間有N型深阱102間隔區(qū),P阱105右部、N阱104左部及P阱105同N阱104之間的N型深阱102間隔區(qū)上方形成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。