技術(shù)編號(hào):83368
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于自旋靈敏的電子和光學(xué)應(yīng)用的磁隧道結(jié)(MTJ)器件。這些應(yīng)用包括非易失性磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、用于磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁致電阻讀頭、自旋閥/磁隧道晶體管、超快光學(xué)開關(guān)、以及具有極化調(diào)制輸出的發(fā)光器件。可包括本發(fā)明作為子系統(tǒng)的其他應(yīng)用包括具有可變邏輯功能的邏輯器件和量子計(jì)算機(jī)。特別地,本發(fā)明使用具有自旋過(guò)濾功能的隧道勢(shì)壘來(lái)改善MTJ的屬性和性能。 背景技術(shù)磁隧道結(jié)(MTJ)是采用磁致電阻效應(yīng)來(lái)調(diào)制電傳導(dǎo)的器件。MTJ器件包括通過(guò)絕緣勢(shì)壘層分隔開的兩鐵磁電極,該絕緣勢(shì)壘層制得足夠薄,從而允許在所述電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。