技術(shù)編號：83307
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及晶體管，且特別涉及使用場板的場效應(yīng)晶體管。 背景技術(shù)本申請案聲明Wu等人在2004年5月13日提出的第60/571,342號美國專利臨時申請案的權(quán)益。 鋁鎵氮/鎵氮半導(dǎo)體材料制造方面的改良推動了鋁鎵氮/鎵氮晶體管的發(fā)展，例如用于高頻、高溫及高功率應(yīng)用的高電子遷移率晶體管(HEMT)。鋁鎵氮/鎵氮具有大帶隙、高峰值及飽和電子速度值[B.Gelmont，K.Kim andM.Shur，Monte Carlo Simulation of Electron Transport in GalliumNit...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。