技術(shù)編號(hào)：8320753
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于鐵電存儲(chǔ)，具體涉及非破壞性讀出鐵電存儲(chǔ)器，尤其涉及一種基于具有間隙的電極進(jìn)行非破壞性讀出操作的鐵電存儲(chǔ)器以及該鐵電存儲(chǔ)器的制備方法和讀/寫操作方法。背景技術(shù)鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)是利用鐵電疇(或稱為“電疇”)在電場(chǎng)中兩種不同極化取向作為邏輯信息(“O”或“I”)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory),其也可以稱為“鐵電存儲(chǔ)器”。鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。