技術(shù)編號(hào)：8320574
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，對(duì)元件的集成度和性能要求越來(lái)越高，等離子體技術(shù)(Plasma Technology)得到了極為廣泛的應(yīng)用。等離子體技術(shù)通過(guò)在等離子體處理裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體并引入電子流，利用射頻電場(chǎng)使電子加速，與反應(yīng)氣體發(fā)生碰撞使反應(yīng)氣體發(fā)生電離而等離子體，產(chǎn)生的等離子體可被用于各種半導(dǎo)體制造工藝，例如沉積工藝(如化學(xué)氣相沉積)、刻蝕工藝(如干法刻蝕)等。等離子體處理設(shè)備包括常見(jiàn)的電容耦合型和電感耦合型等離子體處理裝置。在需要較高...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。