技術(shù)編號(hào)：8318253
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明硬質(zhì)掩模 本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地涉及用于半導(dǎo)體制造的硬質(zhì)掩模領(lǐng) 域。 隨著在193nm浸沒光刻法中的臨界尺寸和節(jié)距的連續(xù)降低，由于硬質(zhì)掩模材料的 優(yōu)良的蝕刻選擇性，在集成電路制造的特定的層使用硬質(zhì)掩模變得日益普遍。通過化學(xué)氣 相沉積（CVD)將特定的金屬硬質(zhì)掩模，例如TiN，施加在已處理過的晶片上。通過CVD或旋 涂法施加的無定形碳硬質(zhì)掩模，和硅硬質(zhì)掩模（或硅防反射涂層或者SiARC)是集成電路制 造中的傳統(tǒng)技術(shù)。旋涂，金屬硬質(zhì)掩...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。