技術(shù)編號(hào)：8300530
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來，手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和MP3隨身聽等消費(fèi)性電子產(chǎn)品逐漸流行，使得非揮發(fā)性存儲(chǔ)器需求量大增。目前市場(chǎng)上的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器仍以快閃式存儲(chǔ)器(Flash Memory)為主流，但其有操作電壓大、操作速度慢、數(shù)據(jù)保存性差等缺點(diǎn)，限制快閃式存儲(chǔ)器未來的發(fā)展。目前已有許多新式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器材料和裝置正被積極研發(fā)中，包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)、相變化存儲(chǔ)器(OUM)和電阻式存儲(chǔ)器(RRAM)等。其中電阻式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器具有功率消耗低、操作電壓低、寫入抹除時(shí)間短、耐久...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。