技術(shù)編號(hào)：8300430
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器，由于具有體積小、存取速度快、存儲(chǔ)密度高、與邏輯電路的接口容易等優(yōu)點(diǎn)，自問(wèn)世以來(lái)，產(chǎn)品種類不斷增多，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩大類第一類是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，第二類是非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)在于其所存儲(chǔ)的信息在掉電之后仍然存在。目前，有兩種新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器正日益成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研宄的熱點(diǎn)，一種是電荷陷阱存儲(chǔ)器；另一種是鐵電存儲(chǔ)器。近年來(lái)，電荷陷阱型存儲(chǔ)器作為多晶硅懸浮柵存儲(chǔ)器得到廣泛應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。