技術(shù)編號(hào)：8288039
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。呈柵控江崎二極管(例如，具有負(fù)電阻特征和/或以反向或齊納方向操作的柵控二極管)形式的隧道或隧穿場效晶體管(“TFET”)目前被認(rèn)為用于在VDD〈 0.3V操作的數(shù)字應(yīng)用。這些晶體管的主要優(yōu)點(diǎn)在于可能使用在晶體管低于kT/q發(fā)熱限制而操作的情況下的陸斜率，以減小的柵極擺幅(gate swing),減小斷開電流。晶體管操作依靠帶通效應(yīng),其中，基于經(jīng)由晶體管柵極控制的跨能帶隙的隧穿(例如，電子從η型半導(dǎo)體材料的導(dǎo)帶隧穿到Pn結(jié)的相鄰P型半導(dǎo)體材料的價(jià)帶內(nèi))獲得驅(qū)...
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