技術(shù)編號:8283744
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于碲鎘汞光電二極管的紅外焦平面陣列探測器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于軍事安保、資源勘探、海洋監(jiān)測及空間遙感等領(lǐng)域。按器件結(jié)構(gòu)劃分,HgCdTe光電二極管可分為n-on-p型和p-on-n型。n-on-p工藝歷經(jīng)幾十年的技術(shù)積累已經(jīng)趨于成熟,基于該工藝的短波紅外(SffIR)和中波紅外(MWIR)HgCdTe FPA器件已經(jīng)具有較高的性能。然而,對于長波(LW)及甚長波(VLW)器件來說,為了獲得相應(yīng)譜段的光譜響應(yīng),必須將HgCdTe基底材料的禁帶寬度進(jìn)一步降低(<...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。