技術(shù)編號：8283742
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及通過含摻雜劑的聚合物膜摻雜基材，所述聚合物膜被設(shè)置在基材上。 發(fā)明背景 將電子裝置縮小為納米級（尺寸小于100納米（nm))的挑戰(zhàn)之一是在小于10納 米的尺寸范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料的受控?fù)诫s。例如，隨著晶體管柵極長度快速接近小于10 納米尺寸范圍，使用納米長度尺寸的高導(dǎo)電超淺結(jié)來縮小晶體管尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更快的晶 體管速度和更高的封裝密度。此外，已提出的一系列小型化電子應(yīng)用結(jié)合使用利用摻雜的 納米線結(jié)構(gòu)模塊或其他非平面導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)。 現(xiàn)有的方法不適...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。