技術編號：8270033
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。STTM器件是利用被稱為隧道磁致電阻(TMR)的現(xiàn)象的非易失性存儲器器件。對于包括由薄絕緣隧道層分開的兩個鐵磁層的結構，在兩個磁層的磁化處于平行取向時，與二者為非平行取向(非平行或反平行取向)時相比，電子將更可能隧穿隧道層。像這樣，MTJ可以在電阻的兩種狀態(tài)之間進行轉換，一種狀態(tài)具有低電阻并且一種狀態(tài)具有高電阻。電阻差異越大，TMR比(RAP-RP/RP*100，其中Rp和Rap分別為磁化的平行和反平行對準的電阻)越高，就可以越容易與MTJ電阻狀態(tài)相關聯(lián)地...
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