技術(shù)編號：8262448
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來，隨著對具有高性能和低功率的半導(dǎo)體存儲裝置的需求，已經(jīng)研究了具有非易失性和非刷新的下一代半導(dǎo)體存儲裝置。作為下一代半導(dǎo)體存儲裝置之一，可變電阻存儲裝置被推薦，并且可變電阻存儲裝置的典型示例是相變隨機(jī)存取存儲裝置(PCRAMs)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(ReRAMs)、磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAMs)、自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器(STTMRAMs)或聚合物隨機(jī)存取存儲器(PoRAMs)。在最近的可變電阻存儲裝置中，單元節(jié)距或一個單元所占據(jù)的面積被減小...
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