技術(shù)編號(hào)：8262052
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及一種等離子刻蝕設(shè)備、相關(guān)的整套裝置以及襯底的等離子刻蝕方法。背景技術(shù) 用于在半導(dǎo)體晶圓上制造器件的工藝包括在各種等離子刻蝕工具中實(shí)現(xiàn)的大量 的等離子刻蝕工藝步驟。通常來(lái)說(shuō)，等離子刻蝕工藝被用于選擇性地將材料從并未覆蓋有 掩膜的晶圓區(qū)域上去除。在例如硅、砷化鎵（GaAs)、鋁和二氧化硅等材料中的刻蝕深度能夠 在幾納米到幾百微米之間變化。在所有的等離子刻蝕工藝中，一般要求提供一致的可重復(fù) 的刻蝕工藝。這些性質(zhì)在裸片（在幾平方毫米或者平方厘米的區(qū)域上...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。