技術(shù)編號：8227670
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。例如，專利文獻I的半導(dǎo)體裝置包括SiC基板；形成在SiC基板上的η型高電阻層；形成在η型高電阻層上的P井層；形成于P井層的表層部的η+發(fā)射極區(qū)域；貫通η +發(fā)射極區(qū)域并到達(dá)P井層的P+接觸區(qū)域；從η +發(fā)射極區(qū)域的表面起貫通P井層并到達(dá)η型高電阻層的溝槽；形成于溝槽的內(nèi)表面的柵極氧化膜；以及埋入于溝槽的多晶硅柵極電極?，F(xiàn)有技術(shù)文獻。專利文獻。專利文獻1特開2008-294210號公報。發(fā)明內(nèi)容用于解決課題的方案 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體層，具有依次層...
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