技術(shù)編號(hào)：8224940
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 如何提升晶體硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率是光伏領(lǐng)域的一個(gè)重要研究課題。依據(jù) 晶硅太陽(yáng)電池的等效電路模型，其光電轉(zhuǎn)換效率取決于器件的反向飽和電流、理想因子、串 聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻。其中，并聯(lián)電阻越大越有利于器件的光電轉(zhuǎn)換。而較小的并聯(lián)電阻將 使得器件填充因子及開路電壓降低，這將導(dǎo)致器件光電轉(zhuǎn)換能力下降。 晶硅太陽(yáng)電池的并聯(lián)電阻取決于其整個(gè)制備工藝過(guò)程。通常，晶硅電池制備流程 中包括制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻邊、去磷硅玻璃、淀積氮化硅減反射層、印刷電極、燒結(jié)及測(cè)試分 選等...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。