技術(shù)編號(hào)：82151
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種制造集成電路和其它電子元件半導(dǎo)體級(jí)硅單晶體的工藝和設(shè)備，特別是一種清除直拉硅單晶爐內(nèi)SiO的方法及裝置背景技術(shù)半導(dǎo)體硅單晶體的生產(chǎn)中大約85％采用切克勞斯基Czochralski法(直拉法)制造。在這種方法中，多晶硅被裝進(jìn)石英堝內(nèi)，加熱熔化，然后，將熔硅略做降溫，給予一定的過冷度，把一支特定晶向的硅單晶體(稱做籽晶)與熔體硅接觸，通過調(diào)整熔體的溫度和籽晶向上提升速度，使籽晶體長大至近目標(biāo)直徑時(shí)，提高提升速度，使單晶體近恒直徑生長。在生長過程的尾期，此時(shí)堝內(nèi)的硅熔體尚未完全消失，通過增加晶體的提...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。