技術(shù)編號：8205506
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造具有關(guān)于聚結(jié)空位缺陷一定缺陷特性的半導(dǎo)體硅晶片的方法。本發(fā)明還涉及具有該缺陷特性的半導(dǎo)體硅晶片。背景技術(shù) 已知單晶硅可具有向內(nèi)生長的缺陷，其是非期望的，因?yàn)樗鼈兏蓴_集成在硅中的電子元件的功能，甚至使該器件喪失功能。該缺陷尤其是點(diǎn)缺陷的附聚物，其中空位與硅晶格間隙原子不同。此類點(diǎn)缺陷傾向于過飽和地聚集為附聚物。聚集的空位缺陷(空洞)在文獻(xiàn)中通常稱作COP缺陷(晶體原生顆粒)、LPDs(光點(diǎn)缺陷)、LLS(局部光散射體)、LSTD(激光掃描斷層攝影缺陷)或FPD(流體圖案缺陷)。若該附聚物的尺寸已...
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