技術(shù)編號(hào):8202207
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明是關(guān)于一種單晶處理的方法,特別是涉及一種碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)后的熱處理方法。背景技術(shù) SiC是IV-IV族二元化合物半導(dǎo)體材料,它具有寬帶隙(2.4-3.3eV)、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(>2.0×105V·cm-1)、高熱導(dǎo)率(5-7W·cm-1·K-1)、高載流子飽和漂移速率(2.0×107cm·s-1)等特性。與第一代半導(dǎo)體材料Si和第二代半導(dǎo)體材料GaAs相比,第三代半導(dǎo)體材料SiC在工作溫度、抗輻射、耐高擊穿電壓等方面具有很大的優(yōu)勢(shì),其優(yōu)異的性能能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率、高壓和抗...
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