技術編號：8200526
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明屬于半導體納米線陣列的制備技術領域，特別涉及一種制備SiC納米線陣列的方法。 背景技術納米線是一維納米材料的一種。 一維納米材料相對于傳統(tǒng)材料呈現(xiàn)出很 多奇特的性質(zhì)，在介觀領域和納米器件研制方面顯示出重要的作用。例如， 它們可用作掃描隧道顯微鏡的針尖、各種傳感器、微電極和超大集成電路中的連線、光導纖維、微型鉆頭等。SiC是一種寬帶系(2.3eV)半導體材料， 具有一系列的優(yōu)異性能，如抗氧化、耐化學腐蝕、熱傳導率高、熱穩(wěn)定性高 等。而一維SiC納米材料則以其獨特的物理和電子學特性，受到廣泛的關注。 作為...
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