技術(shù)編號(hào)：8198491
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及射頻(RF)等離子體發(fā)生系統(tǒng)中的電弧探測(cè)。 背景技術(shù)此處所提供的背景描述是為了一般性地呈現(xiàn)公開內(nèi)容上下文的目的。該背景部分 中所描述的這里被指名的發(fā)明人的工作以及在遞交時(shí)可能不當(dāng)作現(xiàn)有技術(shù)的描述的方面 并未被明顯或暗含地承認(rèn)是相對(duì)于本公開內(nèi)容的現(xiàn)有技術(shù)。等離子體室可被用于執(zhí)行各種處理，例如在制造例如半導(dǎo)體器件或平板顯示器的 電子工件中使用的化學(xué)氣相沉積、濺射沉積以及等離子體增強(qiáng)蝕刻處理。等離子體放電通 過(guò)將RF或DC電源信號(hào)從電源連接到等離子體來(lái)維持。這種連接通常通過(guò)將電源連接至該 室內(nèi)的電極或者...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。