技術(shù)編號：8196530
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉 及半導(dǎo)體材料晶體生長和元素?fù)诫s領(lǐng)域，特別涉及一種硼鎵共摻的超低電阻率P型單晶的摻雜和晶體生長實現(xiàn)方法。背景技術(shù)近年來，隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)的發(fā)展，作為外延襯底的大直徑直拉重?fù)焦鑶尉г谖⑻幚砥骱透吒郊又颠壿嬈骷认冗M(jìn)集成電路制造中得到了廣泛的應(yīng)用，并能夠解決拋光硅片所不能解決的電路閂鎖問題、軟失效、動態(tài)存儲時間短等問題。同時小尺寸的重?fù)街崩迒尉б矎V泛應(yīng)用于(Transient VoltageSuppressor) TVS瞬態(tài)電壓抑制器件等領(lǐng)域。重?fù)脚鸸鑶尉亲钪饕腜型重?fù)焦鑶尉?，具?..
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