技術(shù)編號(hào)：8195326
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及ー種晶體生長裝置，具體涉及ー種生長氧化鋅晶體的裝置。背景技術(shù)氧化鋅(ZnO)是ー種具有寬帶隙的直接禁帶半導(dǎo)體材料，其室溫下單晶的禁帶寬度為3. 37eV、激子束縛能(exciton-binding energy)高達(dá)60meV,遠(yuǎn)高于GaN的激子束縛能(25mev)，非常適宜作為長壽命白光LED的激發(fā)光源材料。ZnO基的LED —旦進(jìn)入商業(yè)化應(yīng)用階段，ZnO基同質(zhì)外延基片的市場需求將十分巨大。ZnO和GaN都具有六方纖鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)非常接近，晶格失配度較小Γ2. 2%)，相比于GaN體單...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。