技術編號：8194951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及III-IV族化合物半導體層的制造方法，半導體發(fā)光元件的制造方法以及汽相生長設備。已有技術通常，作為在GaAs襯底上生長具有結晶缺陷較少的III-IV族化合物半導體結晶的方法，日本專利申請公開8-203837公開了如下方法。圖9是按照日本專利申請公開8-203837公開的III-IV族化合物半導體層的傳統(tǒng)制造方法，在整個生長期間的襯底溫度和材料氣體引入的圖形曲線。首先，將GaAs襯底放置在反應容器(反應室)中。反應容器內(nèi)的氣氛降低到要求的壓強。然后，將作為V族材料氣體的AsH3(砷)引入反應容器。...
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