技術(shù)編號(hào)：8191223
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明總體上涉及等離子體蝕刻系統(tǒng)和方法，尤其是涉及用于對(duì)離子產(chǎn)生和工藝氣體離解具有獨(dú)立控制的等離子體蝕刻的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)典型等離子體蝕刻工藝的簡(jiǎn)化描述是其中具有工藝氣體的等離子體室。該工藝由電氣耦合到工藝氣體中的RF或微波信號(hào)激發(fā)。激發(fā)該工藝氣體導(dǎo)致在該工藝氣體中形成離子和自由基。然后，該離子和自由基被指向待蝕刻的表面。利用等離子體室內(nèi)的氣流以及各個(gè)表面的電氣偏置，該離子和自由基可被指向待蝕刻的表面。該離子和自由基與待蝕刻表面中的材料起反應(yīng)。 增加蝕刻等離子體的密度是加快蝕刻表面被蝕刻(例如，通常用埃...
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