技術(shù)編號：81860
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種去除晶體管柵極結(jié)構(gòu)中硬膜層的方法，特別是涉及在半導(dǎo)體器件的制程中，所述晶體管柵極結(jié)構(gòu)已經(jīng)過柵極蝕刻處理，并且所述的柵極氧化物層和硬膜層含有相同成分物質(zhì)的情況下，去除所述硬膜層的方法。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件的制造工藝過程中，光阻材料被經(jīng)常用來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，保護(hù)基體表面特定區(qū)域不被蝕刻或者摻雜等處理過程。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，芯片的特征圖形尺寸越來越小，柵極寬度已經(jīng)可以達(dá)到90納米或者65納米(nm)，而僅僅使用光阻材料已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)圖形的精確轉(zhuǎn)移。所以為了滿足芯片技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用在柵...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。