技術(shù)編號(hào)：8182060
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)申請本專利申請要求享有在2004年2月27日提交的美國專利申請N0.10/789, 638的權(quán)益。本發(fā)明領(lǐng)域一般涉及通過Czochralski (CZ)技術(shù)生長娃晶體。具體地,本發(fā)明領(lǐng)域涉及基于Czochralski法改進(jìn)的連續(xù)和快速生長超純、高少數(shù)載流子壽命單晶娃的系統(tǒng)和方法。 背景技術(shù)參考圖1A和1B，為了可用于制作半導(dǎo)體電子元件，硅必須形成為大的(約10-30cm直徑)、幾乎無缺陷的單晶，這是由于晶界以及其它晶體缺陷使器件性能降低。需要先進(jìn)的技術(shù)以獲得這種高質(zhì)量的單晶。參考圖1A和1B，為了可用于...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。