技術(shù)編號(hào):8171763
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉淀(MOCVD)設(shè)備和半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備,及應(yīng)用于該MOCVD設(shè)備和半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)。背景技術(shù)半導(dǎo)體設(shè)備中加熱系統(tǒng)通常具有慣性大、反應(yīng)慢、延時(shí)、升溫單向性等特點(diǎn),同時(shí)還存在著復(fù)雜的熱傳導(dǎo)、熱輻射、熱對(duì)流等傳熱現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)精密溫度控制很困難。對(duì)于某些應(yīng)用場(chǎng)合,當(dāng)加熱面積或體積較大時(shí),由于不同區(qū)域熱損耗的不同,采用單個(gè)加熱器很難實(shí)現(xiàn)溫度的均勻性。因此,有必要將加熱器分解為若干單元,每個(gè)單元只加熱一小塊區(qū)域。同時(shí)還需要為每一塊區(qū)域配置測(cè)溫傳...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。