技術(shù)編號(hào):8168901
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。低基面位錯(cuò)塊體生長(zhǎng)的SiC晶片背景技術(shù)本發(fā)明涉及低缺陷碳化硅晶片和它們作為半導(dǎo)體用前驅(qū)體的應(yīng) 用,以及涉及大的高質(zhì)量碳化硅單晶的籽晶升華生長(zhǎng)。本發(fā)明涉及下面共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專利申請(qǐng)^^開No. 20050145164、 20050022724 、 20050022727 、 20050164482 、 20060032434 和 20050126471。近年來(lái)發(fā)現(xiàn)碳化硅可作為用于各種電子器件和用途的半導(dǎo)體材料 來(lái)應(yīng)用。碳化硅由于其物理強(qiáng)度和高的抗化學(xué)侵蝕性而特別有用。碳 化硅還具有優(yōu)異的電子性能,包括耐輻射性、高的擊...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。