技術(shù)編號：8166675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實施例大體上有關(guān)于一種蝕刻方法。詳言之，本發(fā)明系有關(guān) 于。背景技術(shù)在集成電路的制造中，各式制程參數(shù)的精準控制是在一基材內(nèi)達到一 致的結(jié)果，以及達到基材到下一基材之間可重復(fù)的結(jié)果所必需的。在制程 期間，在溫度及整個基材的溫度梯度上的變動對于物質(zhì)沉積，蝕刻率，級 階覆蓋，特征結(jié)構(gòu)錐形角，及半導(dǎo)體組件的其它參數(shù)而言是不利的。因此， 在產(chǎn)生在該基材上的一預(yù)定的溫度分布圖樣是達到高產(chǎn)量的關(guān)鍵要求的2003年版的International Technology Roadmap for Semiconductor...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。