技術(shù)編號(hào)：8156455
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及超薄單晶娃片制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種厚度小于40um的單晶娃片的制備方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和太陽(yáng)電池領(lǐng)域。背景技術(shù)當(dāng)前能源危機(jī)與環(huán)境問(wèn)題日趨嚴(yán)重，對(duì)太陽(yáng)能利用的需求愈加迫切，但是相對(duì)于常規(guī)的石化、煤炭發(fā)電，太陽(yáng)能光伏發(fā)電成本仍然偏高；高效、低成本是太陽(yáng)電池技術(shù)追求的目標(biāo)，在眾多的太陽(yáng)能電池中，晶體硅太陽(yáng)能電池占據(jù)整個(gè)光伏市場(chǎng)的85%左右；目前，產(chǎn)業(yè)界所用單晶硅太陽(yáng)電池的硅片厚度為180 200 ym，而太陽(yáng)能發(fā)電成本中很大一部分來(lái)源于硅片材料，降低成本的一個(gè)重要和直接的途徑是降低硅片厚度，在不久...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。