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用于提高晶體生長(zhǎng)速率的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8154373

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于人工晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種。背景技術(shù)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點(diǎn),是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體傳感器等新型器件以及耐高溫集成電路的優(yōu)選材料,從而廣泛應(yīng)用于石油、化學(xué)、汽車、航空、航天、通信、武器等行業(yè)。碳化硅在正常的工程條件下無(wú)液相存在,低壓下1800°C左右開(kāi)始升華為氣體,因 而不能象鍺、硅、砷化鎵那樣用籽晶從熔體中生長(zhǎng),也不能用區(qū)熔法進(jìn)行提純,并且存在一定條件下極易...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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