技術(shù)編號(hào)：8154325
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料與器件制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體材料的生長方法，特別是一種基于III-V族半導(dǎo)體氮化鎵襯底的石墨烯CVD外延生長方法，可用于無需轉(zhuǎn)移的大面積石墨烯材料的生長制備，并為氮化鎵-石墨烯器件的制造提供材料。背景技術(shù)石墨烯是一種由碳原子組成的二維晶體，是目前已知最輕最薄的材料，具有非常奇特的物理化學(xué)性質(zhì)，具有突出的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，有望替代Si成為下一代基礎(chǔ)半導(dǎo)體材料的新材料?！み^渡族金屬催化化學(xué)氣象沉積(CVD)外延是國際上廣泛采用的大面積石墨烯制備的方法，它不受襯底尺寸的限制，設(shè)備簡單，可以大批量生產(chǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。