技術(shù)編號(hào)：8150533
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)，特別是一種適于垂直溫梯法生長(zhǎng)高溫氧化物晶體(如藍(lán)寶石、摻鈦藍(lán)寶石、石榴石等)用的組合式坩堝。這種組合式坩堝也適用于熱交換法(HEM)和坩堝下降法(Bridgeman)等生長(zhǎng)大尺寸高溫氧化物單晶體。背景技術(shù) 1985年中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所周永宗提出了“一種耐高溫的溫梯法晶體生長(zhǎng)裝置”的專利(專利號(hào)85100534)，在該專利中所用的坩堝為底部帶有籽晶槽的錐形單體式坩堝(如圖1)。使用這種坩堝生長(zhǎng)晶體時(shí)，坩堝的底部與有水冷卻的金屬底座接觸，對(duì)籽晶槽內(nèi)的籽晶進(jìn)行冷卻，但經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)冷...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。