技術(shù)編號(hào)：8141814
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種，尤其涉及用于半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的。背景技術(shù)用工藝氣體對(duì)基底進(jìn)行處理是半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的一種常用工藝。例如，用三氯氧磷(PCLO3)氣體和氧氣對(duì)晶圓進(jìn)行摻雜，其中三氯氧磷與氧氣反應(yīng)生成五氧化二磷，五氧化二磷再與晶圓中的硅反應(yīng)生成磷，磷經(jīng)退火擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部生成導(dǎo)電層(N層)，完成摻雜。如圖1所示，現(xiàn)有的三氯氧磷摻雜通常在爐管1中進(jìn)行，多片晶圓5設(shè)在石英舟3 上，并沿爐管1的腔室2排成一列，相鄰晶圓5的表面相對(duì)且相間隔，石英舟3兩端設(shè)有擋片4 ；如圖2所示，進(jìn)行摻雜時(shí)腔室2從700°C的待機(jī)溫度(腔室2...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。