技術(shù)編號(hào)：8140898
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及離子源弧室領(lǐng)域，具體為一種空心陰極弧室。 背景技術(shù)隨著核聚變研究、加速器技術(shù)等的發(fā)展，離子源的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，同時(shí)，也要求 離子源源等離子體密度越來(lái)越高。為了獲得較高的源等離子體的密度，一方面提高約束磁 場(chǎng)的強(qiáng)度，一方面增加源等離子體的約束空間。但是，這兩種方法增加離子源的制造成本， 使得源等離子體的均勻性變差，密度較低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種空心陰極弧室，以解決現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生的等離子體密度較 低的問題。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為一種空心陰極弧室，包括有空心柱狀的放電陰極，所...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。