技術(shù)編號：8131170
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及對在基板上結(jié)晶成長的多層膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻方法及蝕刻裝置。背景技術(shù) 對半導(dǎo)體元件的特性的要求正在逐年提高，與此同時要求更高的加工精度。例如，在蝕刻被蝕刻層的情況下，對蝕刻深度也要求高的加工精度。作為用于改善蝕刻深度的加工精度的第一現(xiàn)有技術(shù)，有使用蝕刻終點檢測層、即蝕刻截止層的蝕刻方法。該蝕刻方法中，首先，在半導(dǎo)體基板上以高于半導(dǎo)體基板的折射率層積規(guī)定層厚的蝕刻終點檢測層以及折射率低于蝕刻終點檢測層的半導(dǎo)體層，形成掩模。然后，入射規(guī)定波長的激光，監(jiān)視其反射光，在檢測到蝕刻終點檢測層時，停止蝕刻(例如參...
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