技術(shù)編號：8123257
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種生長高質(zhì)量AlInN單晶外延膜的方 法。背景技術(shù)A1N的帶隙寬度為6. 2eV， InN的為0. 7eV，所以AlInN的帶隙寬度具有很大的可調(diào) 范圍。如果作為氮化物半導(dǎo)體光電子器件的有源層，其發(fā)光波長可以覆蓋從紅外到紫外的 范圍；此外，AlInN的晶格常數(shù)同樣也有很大的可調(diào)范圍，使它能夠與其他的外延層有很好 的晶格匹配，如AlInN/GaN、AlInN/InGaN和AlInN/AlGaN，尤其可以制作與GaN晶格匹配的 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，這樣可以減少由于晶格失配帶來的缺陷或...
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