技術編號：8122027
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明屬于納米材料和納米技術領域，具體指制備ZnS或ZnSe納米晶體的配位模板及水 熱制備方法。背景技術II-VI元素能組成性能優(yōu)良的半導體，研究的最多的是CdS， CdSe, CdTe等鎘的硫族化 合物。近年來，CdE (E=S， Se， Te)納米晶體(又稱量子點)的性質(zhì)研究顯示了其遠大的應 用前景，在免疫熒光標記、太陽能電池、量子計算機等方面都有廣闊的應用前景。不過Cd 鹽本身就具有高的毒性，合成過程也會引入有毒試劑，因此人們也在研究其毒性較低的同系 物。ZnSe屬于寬禁帶直接躍遷型半導體材料( 2....
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