技術(shù)編號(hào):8121313
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種等離子體發(fā)生及控制技術(shù),尤其涉及一種匹配方法及應(yīng)用該匹配方法 的等離子體裝置。背景技術(shù)在RF(射頻)等離子體發(fā)生裝置中,恒定輸出阻抗(通常為50Q)的RF發(fā)生器產(chǎn)生固定 頻率(通常為13。 56MHz)的RF波,向等離子體反應(yīng)腔室提供RF功率,以激發(fā)用于刻蝕或其 他工藝的等離子體。 一般來(lái)講,等離子體腔室的非線性負(fù)載的阻抗與RF發(fā)生器的恒定輸出 阻抗并不相等,故在RF發(fā)生器和等離子體腔室之間具有嚴(yán)重的阻抗失配,使得RF傳輸線上 存在較大的反射功率,RF發(fā)生器產(chǎn)生的功率無(wú)法全部輸送給反應(yīng)腔室。'...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。