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改善溝槽間深度差異的等離子刻蝕方法與裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8119796

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種芯片制程工藝中的刻蝕方法,特別是涉及一種改善刻蝕工 藝中芯片中心區(qū)域到邊緣區(qū)域溝槽間深度差異的等離子刻蝕方法與裝置。背景技術(shù)在芯片制程中,往往需要于基片的介質(zhì)層中刻蝕出通孔或溝槽,以便淀積 金屬而形成層間金屬連線以及頂層金屬。然而無(wú)可避免的,從芯片中心區(qū)域到 邊緣區(qū)域的溝槽往往會(huì)存在深度差異,而影響芯片的質(zhì)量。雖然其無(wú)可避免, 但是技術(shù)人員都在不斷的探求減小此差異的刻蝕工藝。例如,在現(xiàn)有65納米的刻蝕工藝中,芯片的中心區(qū)域與邊緣區(qū)域的溝槽之 間往往存在1200埃左右的深度差異;相應(yīng)地,進(jìn)一步淀...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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