技術(shù)編號：8113563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本實用新型涉及材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種多層介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體產(chǎn)生裝置，包括功率源和DBD等離子體反應(yīng)器，DBD等離子體反應(yīng)器的反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置有2個金屬電極，其中一個金屬電極連接功率源的高壓輸出端，另一個金屬電極接地，2個金屬電極相對的兩個端面相互平行，兩個金屬電極之間設(shè)置有至少3層介質(zhì)板，相鄰介質(zhì)板之間具有間隙。本實用新型的每兩層介質(zhì)板之間都能夠放電形成均勻良好的低溫等離子體，處于中間位置的每一層介質(zhì)板兩側(cè)均可處理薄膜材料，覆蓋在兩個電極上的介質(zhì)板能夠處理一層薄膜，能夠提高單次處理的薄膜的數(shù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。