技術(shù)編號(hào)：8104719
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高密度NH3+SiH4弧放電等離子體發(fā)生裝置，包括放電腔室、陽(yáng)極、鈰鎢陰極、絕緣層、水冷銅板、拉瓦爾噴嘴、陰極本體，陰極本體通過(guò)絕緣層與放電腔室的頂部連接，鈰鎢陰極套裝于陰極本體中，在陰極本體上設(shè)有氬氣、氫氣的導(dǎo)入口和冷卻水的進(jìn)口及出口，在放電腔室的底部設(shè)有絕緣層和水冷銅板，絕緣層-水冷銅板上下交錯(cuò)疊加3—7次，其中最下面一層為水冷銅板，在陽(yáng)極上設(shè)有氨氣氣源的導(dǎo)入口及通道，在拉瓦爾噴嘴上的出口附近設(shè)有導(dǎo)出氨氣氣源的霧化噴嘴。本實(shí)用新型高密度等離子體，能簡(jiǎn)化減反射薄膜的制備工藝。專利說(shuō)明—...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。