技術(shù)編號：8098816
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明公開了一種，其步驟包括裝爐、化料、引晶、縮頸、放肩、等徑生長、冷卻和退火。放肩時，晶體的轉(zhuǎn)速為零，放肩及其以后各階段，晶體都不轉(zhuǎn)動。把拉速控制在0.05~0.3mm/h范圍內(nèi)，重量增加速率控制在10~250g/h范圍內(nèi)，待晶體直徑長至所需直徑，即完成放肩過程。等徑生長時，調(diào)節(jié)加熱功率，使晶體重量均勻增加，增加速率為250~900g/h，直到重量不再增加為止，此時晶體生長結(jié)束。本方法生長的YbYAG晶體，具有尺寸大、缺陷密度低、無核心、利用率高、成本低等突出優(yōu)點，能滿足大型高功率激光裝置對大尺寸YbYA...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。