技術(shù)編號(hào)：8098812
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明公開了，包括以下步驟步驟一對(duì)硅片的正面氧化，形成一層厚度為0.5-5nm的二氧化硅層；步驟二在所述二氧化硅層上印刷腐蝕漿料以使所述腐蝕漿料呈點(diǎn)狀均勻分布，放置1-5分鐘后，清洗、吹干，除去所述腐蝕漿料印刷區(qū)域的所述二氧化硅層；步驟三在所述硅片上進(jìn)行酸法制絨以使在所述硅片表面形成絨面結(jié)構(gòu)，所述絨面結(jié)構(gòu)的反射率為5%-10%。采用本發(fā)明，能有效降低多晶硅太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的反射率。專利說明 技術(shù)領(lǐng)域 [0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及。 背景技術(shù) [0002]晶硅太陽(yáng)能電池是一種有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。