技術(shù)編號：8095066
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本發(fā)明涉及一種控制摻雜源流量N型重摻雜碳化硅薄膜外延制備方法，所述制備方法包括以下步驟(1)將碳化硅襯底放置到碳化硅CVD設(shè)備的反應(yīng)室中，將反應(yīng)室抽成真空；(2)向反應(yīng)室通入H2直至反應(yīng)室氣壓到達100mbar，保持反應(yīng)室氣壓恒定，再將H2流量逐漸增至60L/min，繼續(xù)向反應(yīng)室通氣；(3)打開高頻線圈感應(yīng)加熱器RF，逐漸增大該加熱器的功率，當(dāng)反應(yīng)室溫度升高逐漸至1400℃進行原位刻蝕；(4)當(dāng)反應(yīng)室溫度到達到1580℃-1600℃時，保持溫度和壓強恒定，向反應(yīng)室通入C3H8和SiH4；將高純N2用作N型摻...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。